【Ref: Glennon JM, et al. Epilepsia. 2016 Sep;57(9):1436-42. doi: 10.1111/epi.13479. Epub 2016 Aug 9.】
早期儿童癫痫发作与患儿的认知功能障碍有关。在无行为改变的癫痫患儿中，发作间期痫样放电（IEDs）在脑电图上表现是尖波、棘波和混合性棘波。有关研究表明，IEDs与癫痫患儿的短期和长期认知功能障碍直接相关，而且可能是一种慢性影响。良性外侧裂癫痫（BRE）患儿的频发IEDs和多病灶性IEDs可能影响患儿特定的认知活动，如认知、一般智力功能和接受教育的能力，特别是对药物难治性癫痫患儿的智力影响。对于局灶性癫痫患儿来说，IEDs所致的认知功能障碍与脑结构的病理学关系仍不清楚。英国伦敦大学儿童健康学院神经科学发展计划部的Jennifer M. Glennon等对2005年至2013年在该医疗中心接受外科治疗的103例局灶性癫痫患儿，进行IEDs与认知功能相关性的回顾性分析，结果发表于2016年8月的《Epilepsia》在线上。
作者收集的患儿资料，包括遥测脑电图（TEEG）、神经影像学和神经心理学数据。大多数患儿为广泛性或局灶性癫痫，3例患儿最初表现为婴儿痉挛症。97%的患儿在进行神经心理学测试时服用抗癫痫药物（AEDs）；94%的患儿MRI扫描结果异常，64%的异常发生在左侧半球；位于颞叶者占36%。其中25例有智力障碍，IQ<70（表1）。
表1. 103例患儿的临床基本资料。
该研究采用统计学方法分析患儿的神经生理学、神经心理学和神经影像学资料以及脑结构病灶、癫痫持续时间等。当药物控制有效后，用分层多元回归分析确定IEDs导致患儿智力功能障碍的特征。对患儿的语言和记忆能力进行探索性评分。结果显示，IEDs与患儿的IQ呈独立负相关性；患儿在睡眠中癫痫发作叠加效应频繁，双侧IEDs和放电程度增强。左侧IEDs对患儿的语言智力有重要影响，对左侧大脑半球组织结构也有重度伤害。这些影响可能扩展到其他认知功能。尤其是睡眠中增强的IEDs与患儿语言接受能力、语言表达能力、阅读、拼写和数字记忆相关。
研究结果表明，IEDs对患儿认知功能的影响和对脑结构的损伤与服用药物所发生的副作用类似。因此，IEDs不仅与认知功能障碍有关，而且也是大脑结构局灶性损伤的潜在独立因素。
（宁夏医科大学总医院李信晓编译，复旦大学附属华山医院王知秋教授审校，《神外资讯》主编、复旦大学附属华山医院陈衔城教授终审）
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